AI芯片堆叠技术突破3D封装

芯片向上叠不向外扩

2026年，AI芯片3D堆叠封装技术实现了量产突破。传统芯片提升性能靠增大面积或缩小制程，但两者都遇到物理极限。3D堆叠将多层芯片垂直堆叠，通过内部微通道互联，面积不变而算力密度提升4倍。

这一技术让摩尔定律以新形式延续——不是横向缩微而是纵向堆叠。首批3D堆叠AI芯片已量产交付，单芯片推理性能比平面封装提升4倍，功耗仅增加30%。芯片架构从二维平面走向三维立体。